国产替代加速：光刻胶产业及个股梳理

一. 光刻工艺概览

光刻是半导体制造核心工艺，光刻技术是指利用光化学反应原理和化学物理刻蚀方法，将图形传递到介质层上，形成功能图形的工艺。

通过光刻工艺，将印制于掩膜板上的电路图复制到衬底晶圆上，为下一步刻蚀做好准备。

通过光刻和刻蚀工艺将电路图转移到晶圆上后，再进行离子注入、退火、扩散、气相沉积等流程，最终在晶圆上实现集成电路结构。

光刻过程可大致分为涂胶、曝光、显影、刻蚀、清洗等步骤。

二. 光刻胶概览

光刻胶是一类光敏感聚合物，作为图形转移介质，通过曝光、显影工艺发挥转移作用，将掩模版上的图形转移到基底上，实现图形转移目的。

光刻胶在半导体制造材料成本中占比12%，是继硅片、电子特气之后第三大IC制造材料。

光刻胶性能由其化学结构决定，不同结构的光刻胶在性能上差异较大。

（1）按曝光波长，可分为G/I线胶、KrF胶、ArF胶、EUV胶。

全球光刻胶细分市占率：ArF胶48%，KrF胶34%，G/I线胶16%。

适用于8寸、12寸半导体硅片的KrF胶、ArF胶是主要增量市场。

（2）根据应用领域，可分为PCB、LCD、半导体光刻胶，技术门槛逐渐递增。

三. 光刻胶上游材料

光刻胶上游原材料包括树脂、光引发剂、溶剂及添加剂等。成本占比来看，树脂占比约50%，添加剂占比约35%。

（1）树脂 ：惰性聚合物，作为粘合剂将光刻胶中不同材料聚在一起。

国内半导体光刻胶树脂90%以上依赖进口，供应商主要有住友电木、日本曹达、美国陶氏。

（2）光引发剂：光刻胶中的光敏成分，决定了光刻胶感光度、分辨率等关键指标。

全球光引发剂市场为寡头垄断，厂商包括巴斯夫、Lamberti、IGM Resins ，国内厂商包括：强力新材、扬帆新材、久日新材。

强力新材：主营光刻胶专用电子化学品，包括光引发剂、树脂。

（3）溶剂 ：溶解和分散光刻胶，实现光刻胶的均匀涂覆。

半导体光刻胶的主要溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA/PMA），国内已实现量产。

（4）添加剂：能够改变光刻胶的某些关键特性。

四. 光刻胶市场格局

目前全球半导体光刻胶市场被美日垄断，主要厂商包括：日本的东京应化、JSR、富士、信越化学、住友化学，美国杜邦、欧洲AZEM。

国内厂商主要集中于技术难度较低的PCB光刻胶领域。

国内半导体光刻胶市场，仅有少数几家：彤程新材、南大光电、晶瑞电材、上海新阳、容大感光、华懋科技。

南大光电：主营前驱体材料、电子特气、光刻胶及配套材料。公司自主研发的ArF光刻胶为通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶。

彤程新材：并购北京科华布局半导体光刻胶业务，产品以G/I线胶和KrF胶为主，国内市场份额领先，种类涵盖14nm以上工艺需求。

容大感光：主营PCB感光油墨、各类光刻胶、特种油墨等电子感光化学品。

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